3D闪存引入，为什么SSD价格没有应声而落？ (3d闪迪)

闪存芯片是SSD成本中的大头。随着东芝宣告大规模量产层BiCS闪存，世界主要闪存原厂全面进入了3D闪存时代。各大媒体都将3D闪存作为降成本提性能增耐久的神药来宣传，然而3D时代到来，SSD*却并没有应声而降，这是为什么呢？

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　　闪存制造技术的研究具有超前性，我们运用产品所使用的技术往往是多年前就已研究出来。大家都说Intel善挤牙膏，并非它没有技术储备，而是新技术使用于产品生产还需要考虑*值。

　　新制程工艺在初期成本会比上代工艺更高，但却拥有比老工艺更多的挖掘潜力空间。新工艺开始试产后有可能需要6个季度才能在成本上取得领先上代技术的优势。

　　大家都知道三星是第一个将TLC用到SSD当中，也是第一个宣传3D闪存优势的。当在相当长的时间里三星的TLC*堪比MLC，3D闪存的Pro更是卖到双倍2D闪存的*。虽然不是谁便宜谁的性价比就高，但*是相当重要的一个因素，三星的V-NAND并没有体现出惠民的*优势，尽管它的利润在当前是最高的。

　　东芝是四大闪存原厂中最后一个全面进入3D制程的，倒不是因为东芝技术落后，实际上作为闪存的发明者，东芝也首先提出3D闪存理论，只不过没有急着大范围运用，而是挤了2代牙膏：第一代BiCS基本停留在理论上，第二代层堆叠BiCS2用到了iPhone等定位器闪存颗粒当中，直到层堆叠的BiCS3才正式决定将其全面普及。根据FMS闪存峰会的报告，今年恰好是层堆叠技术3D闪存与2D平面闪存在成本上的交叉时间点。

　　2D闪存基本已经没有潜力可挖，而在明后两年，层堆叠、层堆叠的3DTLC以及未来QLC闪存都能带来更多的降价空间。　　3D制程转换完成较早的Intel与美光，其实第一代层堆叠的3D闪存，实际性能并不好，据说第二代产品会有改观。而东芝的BiCS似乎不鸣则已一鸣惊人，很快大家就能享受到又快又好的3D闪存：在已经宣告的XG5NVMeSSD中，3DTLC性能表现超越当代2DMLC

　　XG5是东芝OEM型号SSD，运用M.规格，电脑IE3.0X4接口与NVMe协议。主控是东芝自有TCNCPGSD，搭配东芝新一代层堆叠3DTLC闪存。

　　根据之前媒体测评，东芝XG5的持续读写速度在/MB/s以上。

　　电脑Mark7存储性能测验成绩显示，运用东芝3DTLC闪存的XG5已经追上运用3DMLC闪存的三星Pro：

　　电脑Mark8存储测验评分拿到分，XG5在性能端足以令人满意。

　　在3D闪存上姗姗来迟的东芝，反而有可能最先在性能与*方面给大家带来惊喜。