华为P10闪存事件因三星卡脖子,国产闪存芯片之路还有多远 (华为p10plus闪存事件)
整理分享华为P10闪存事件因三星卡脖子,国产闪存芯片之路还有多远 (华为p10plus闪存事件),希望有所帮助,仅作参考,欢迎阅读内容。
内容相关其他词:华为p10闪存事件余承东道歉微博,华为p10plus闪存事件,华为p10闪存风波,华为p10闪存事件怎么关闭,如何处理华为手机闪存的问题,华为p10闪存事件余承东道歉微博,华为p10闪存事件怎么设置,华为p10闪存事件怎么设置,内容如对您有帮助,希望把内容链接给更多的朋友!
P闪存风波是结果,而原因却不知一个,UFS产能不够的因素是其一,华为终端的公关失败也是其二。友商和媒体的想搞大新闻也是一个因素,但是这个是没办法的,苍蝇不叮无缝的蛋。在这里USF闪存被卡脖子是大前提,没有这个就没有后面的一系列并发因素。 就如前面所说的USF闪存,应该说是闪存和DRAM芯片都被三星,海力士,Intel,东芝等垄断。他们完全可以用各种理由*控市场上的闪存*和供应来满足自己的利益。而闪存和DRAM芯片又是*的重要部件之一,若是闪存的供应商也是该定位器厂商的竞争对手,要*起来简直是轻而易举。 在过去我们国家没有能力生产高质量的闪存和DRAM芯片,每年需要进口大量的芯片用于生产各种电子设备,国外的企业也趁机捞了一大笔钱。 现在我们的国家意识到了,正在完善这些产业链,如同当年液晶面板被*日本韩国垄断,如今*日本面板半死不活,韩国一枝独秀,中间还杀出了一个中国面板产业。虽然闪存产业就没有发展那么快了,紫光收购美光准备进入闪存和DRAM市场,国家级存储芯片基地确定落户武汉市,今年国产层3D-NAND芯片研究成功。国产闪存和DRAM芯片正在逐渐走向市场,打破垄断。到时闪存产能将不是*定位器出货的一个因素。