三星发布直到4nm的全面完整的芯片工艺演进路线图 (三星4nm什么水平)

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图1、三星发布直到4nm的全面完整的芯片工艺演进路线图　　三星电子已经宣告了一个全面的芯片铸造工艺技术演进路线图，以帮助客户设计和制造更快，更节能的芯片。从超大型数据中心到物联网（IoT），行业所呈现的开发智能的，永远在线的连接设备的趋势越来越明显，这将会使得消费者以新的和强大的方式获得前所未有的信息。考虑到这一点，三星在其最新的工艺技术公布了业界领先的8nm，7nm，6nm，5nm，4nm以及nm的FD-SOI的芯片工艺演进路线图。

图2、连接设备的急剧增加推动了芯片工艺的发展

图3、三星在三星foundry上发布完整的foundry工艺技术演进路线　　三星在最新的三星foundry上推出的最新foundry工艺技术和解决方案，其中包括：　　FD-SOI（完全耗尽-绝缘体上的硅，FullyDepleted–SilicononInsulator）：适用于IoT应用，三星将通过结合RF（射频）和eMRAM（嵌入式磁随机存取存储器，embeddedMagneticRandomAccessMemory）选项逐步将其FDS技术扩展到更广泛的平台中。FDS是三星FD-SOI路线图的下一代工艺节点，具有增强的PPA（电源/性能/面积，Power/Performance/Area）性能。

图4、FD-SOI　　8LPP（8nm低功率Plus，8nmLowPowerPlus）：8LPP在生产工艺转换为EUV（ExtremeUltraViolet）光刻技术之前，具有最大的竞争优势。结合三星nm技术的关键工艺流程创新，与LPP相比，8LPP在性能和门电路密度方面提供了额外的优势。　　7LPP（7nm低功率Plus，7nmLowPowerPlus）：7LPP将是第一个使用EUV光刻解决方案的半导体工艺技术。通过三星和ASML的合作，开发出了W最大的EUV源功率，这是EUV*到大量生产中的最重要的里程碑。EUV光刻技术的部署将打破摩尔定律扩展的障碍，为单一的纳米半导体技术的发展铺平了道路。　　6LPP（6nm低功率Plus，6nmLowPowerPlus）：6LPP将采用三星独特的智能缩放（SmartScaling）解决方案，将其纳入基于EUV的7LPP技术之上，可实现更大面积扩展和超低功耗优势。　　5LPP（5纳米低功率Plus，5nmLowPowerPlus）：5LPP通过实施下一代4LPP工艺生产技术的创新，扩展了FinFET结构的物理尺寸*，以实现更好的缩放和更低的功耗。　　4LPP（4nm低功率Plus）：4LPP将成为下一代器件架构-MBCFETTM结构（MultiBridgeChannelFET）的第一个实现的产品。MBCFETTM是三星独特的GAAFET（GateAllAroundFET）技术，它使用Nanosheet器件来克服FinFET架构的物理尺寸和性能*。

图5、除了智能定位器外三星电子还是一个全面的芯片foundry解决方案提供商　　三星Foundry的先进工艺技术路线图证明了其客户和生态*合作伙伴关系的协同性。包含上述工艺技术将使新设备呈现出*式的增长，并将以前所未有的方式来连接消费者。