闪存颗粒是什么？2D和3D闪存之间的区别和联系 (闪存颗粒是什么东西)

在年的固态硬盘市场，提及最多的一个关键热词绝对是——闪存颗粒。在过去的一年里，围绕着闪存颗粒发生了一系列大事，包括闪存颗粒的量产引发固态涨价，闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争，以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。那么，到底什么是闪存颗粒？2DNAND和3DNAND之间又有哪些区别和联系？下面小编给大家一一来解读。　　一、闪存颗粒到底是什么？　　闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据，而且是以固定的区块为单位，而不是以单个的字节为单位。　　根据用途和规格不同，闪存颗粒有很多不同的变种，本文主要讨论的是用于固态硬盘等存储设备中的、最为常用的NAND闪存颗粒。　　NAND闪存颗粒，是闪存家族的一员，最早由日立公司于年研制并推向市场，由于NAND闪存颗粒有着功耗更低、*更低和性能更佳等诸多优点，成为了存储行业最为重要的存储原料。

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闪存颗粒图1　　根据NAND闪存中电子单元密度的差异，又可以分为SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储单元）以及TLC(三层存储单元)，此三种存储单元在寿命以及造价上有着明显的区别。　　SLC（单层式存储），单层电子结构，写入数据时电压变化区间小，寿命长，读写次数在万次以上，造价高，多用于企业级高端产品。　　MLC（多层式存储），使用高低电压的而不同构建的双层电子结构，寿命长，造价可接受，多用民用高端产品，读写次数在左右。　　TLC（三层式存储），是MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell。存储密度最高，容量是MLC的1.5倍。造价成本最低，使命寿命低，读写次数在~左右，是当下主流厂商首选闪存颗粒。　　二、2D和3D闪存之间的区别和联系　　1、首先我们先弄清楚2DNAND是什么，以及“2D”和“3D”的真实含义。　　2DNAND，我们知道在数学和物理领域，2D/3D都是指的方向，都是指的坐标轴，“2D”指的是平面上的长和宽，而“3D”则是在“2D”基础上，添加了一个垂直方向的“高”的概念。　　由此，2DNAND真实的含义其实就是一种颗粒在单die内部的排列方式，是按照传统二维平面模式进行排列闪存颗粒的。　　相对应的，3DNAND则是在二维平面基础上，在垂直方向也进行颗粒的排列，即将原本平面的堆叠方式，进行了创新。　　利用新的技术(即3DNAND技术)使得颗粒能够进行立体式的堆叠，从而解决了由于晶圆物理极限而无法进一步扩大单die可用容量的*，在同样体积大小的情况下，极大的提升了闪存颗粒单die的容量体积，进一步推动了存储颗粒总体容量的飙升。

闪存颗粒图2　　2、2D和3D闪存之间的区别：　　在业界，根据在垂直方向堆叠的颗粒层数不同，和选用的颗粒种类不同，3DNAND颗粒又可以分为层、层甚至层3DTLC/MLC颗粒的不同产品，这取决于各大原厂厂商的技术储备和实际选用的颗粒种类。　　我们可以打个比方，来理解2DNAND和3DNAND技艺之间的区别和联系。　　2DNAND就如同在一块有限的平面上建立的数间平房，这些平房整齐排列，但是随着需求量的不断增加，平房的数量不断井喷，可最终这块面积有限的平面只能容纳一定数量的平房而无法继续增加；　　3DNAND则就如同在同一块平面上盖起的楼房，在同样的平面中，楼房的容积率却远远高于平房，因而它能提供更多的空间，也就是提供了更大的存储空间，而层、层以及层，则就是这些楼房的高度，一共堆叠了多少层。

闪存颗粒图3　　虽然，3DNAND技术能够在同等体积下，提供更多的存储空间，但是这项堆叠技术对于原厂制造商来说有着相当的*作难度，需要原厂有着相当的技术积累，因而目前能够掌握3DNAND技术的原厂公司十分少见，只有三星、美光等少数公司的3DNAND颗粒实现了量产和问世。　　我是《家电维修》技术的编辑：晨洋宝贝，主要负责”软件“”硬件“栏目的编辑工作，想参与”软件“”硬件“这两个栏目的朋友，维修，或发邮件，邮箱：zll@chinafix**，谢谢！