iPhone 8+专业拆解报告 X光照深入IC细节 (iphone8拆解 带讲解)

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　　很多人喜欢看iFixit的拆解，不过，iFixit主要专注的只是拆卸复原的难度系数，而行业内有另一家更加注重技术拆解的机构，那就是TechInsights，该机构与Chipworks联手之后，对电子产品尤其是对集成电路的技术分析和深入研究，同领域少有竞争对手。近日，TechInsights发布了全新关于苹果新*iPhone8Plus的拆解分析，我们来看看究竟挖到了哪些值得关心的亮点。　　需要注意的是，本文并非完整版本，而且深入的技术分析一直隔几天更新一次，具体点此了解。TechInsights本次拆解的是英特尔基带版本的iPhone8PlusA。

AP（使用处理器）　　iPhone8PlusA机型被证实搭载的是A仿生AP，标识为TMHS，芯片采用的是叠层封装(PoP)的方式，配备了来自美光（Micron）的LPDDR4SDRAM运行内存，型号为MTDMD4NY，容量大小为3GB。真实测量结果显示，A芯片的大小为.平方毫米，与A相比面积缩小了%。

　　A仿生芯片中最大的性特征在于内置了专用的“神经网络引擎（NeuralEngine）”，现在神经网络引擎已胜任诸多任务，包括更智能的够识别人物、地点和物体，为“面容ID”和“动话表情”等创新的功能提供强大的性能，并用来改进Siri和AR使用等等。这是苹果多年来布局的结果，在此过程中苹果收购了多家AI创业公司，吸收了一*相关领域的人才。

　　TechInsights表示，A的NPU现在在iPhone8Plus上的用途，暂时不如iPhoneX那么充分，所以更多深入的了解还需等待iPhoneX才能进行分析。

　　A仿生芯片的部分细节如下：　　-A面积与A相比缩减了%；　　-内部缩减：处理器1变小了%，GPU小了%，而SDRAM则小了%；　　-处理器2部分，A比A塞进了更多的内核（现在是4个小核，之前只是2个)；　　-相对而言，其实内部面积是相似的:处理器占%，GPU占%，SDRAM占8%；　　-GPU依旧是相同的6个逻辑核心规划　　-各模块布局块位置与A相似　　-现在与A比最大的不一样在家内置了NPU单元。逻辑主板布局

相机模块　　苹果官方已经介绍过，A仿生芯片中，*P图像信号处理器经过了重新规划和改进（对堆叠芯片图像传感器的*P机型了完美补充），因此带来了更先进的像素处理能力（尤其是锐度清晰度和纹理质感方面），以及多频段降噪技术，弱光环境下自动对焦速度更快，并能够生成效果更好的HDR照片，同时在支持人像模式基础上增加人像光效。

　　至于图像传感器，苹果介绍官方也指出，iPhone8Plus依然采用了与iPhone7相同的传感器，即万像素广角镜头，还搭配一个可将景物拉得更近的万像素长焦镜头，也支持高画质变焦和人像模式。不一样的是，苹果称已对iPhone8Plus的双镜头*头进行了优化和调整，拥有比以往面积更大、速度更快的感光元件，以及新的色彩滤镜和更深层的像素。

　　FaceTime前置*头辨别率同样保持在万像素不变。不过需要注意的是，大家应该不再能听到“iSight”这个词了，而且iSight子品牌也已经从苹果iPhone产品规格页面中删除了。

　　TechInsights猜测称，iPhone8Plus的*P单元现在应该采用了用台积电的纳米工艺来制造。因为自从年(iPhone5s)苹果运用索尼ExmorRS图像传感器开始，过往针对iPhone相机模块的*P单元运用的只是纳米或纳米制程技术。相反，索尼自家的IMX传感器的*P却已经用上了台积电的纳米工艺，可苹果iPhone却没有跟随，因此这一次跟上并不奇怪。　　不过，TechInsights还提到了另一种可能性是，相机模块的*P单元有可能运用的是FD-SOI制程技术打造的。毕竟一篇年1月1日行业权威文章曾指出，索尼当时正在为相机的*P探索新的制程技术，尤其是大器晚成的“FD-SOI”制程。关于这部分的细节还没有出来，不过TechInsights的实验室已经深入对新*P芯片进行交叉测验中，等待更新，面纱很快揭开。

　　此前DxOMark的测评中，iPhone8Plus的*录制被称赞是智能*中性能最好之一。根据拆解详情，A配备苹果规划的*编码器单元，增加支持4K@fps和p@fps录制，优化*防抖性能。另外，苹果还介绍称，iPhone8Plus的双镜头*头针对AR经过了大量定制调整，保证可呈现更令人眼界大开的增强现实体验。更具体来说，每个镜头都分别经过校准，在新的陀螺仪和加速感应器配合下，能进行精确的运动*，并且A仿生芯片辅助能进行全局定位、场景识别，而*P负责实时进行光线预测。　　TechInsights与Chipworks对*头模块进行更深入的技术分析得到了一些实际结果：-双后置*头　　双*头模块尺寸为.0mmx.6mmx6.3mm。根据最初的x光照片来看广角镜头配备了光学图像稳定(O*)，而长焦镜头是与iPhone7Plus相同的配置。

　　广角部分传感器采用的是SonyC*，传感器尺寸为6.mmx5.mm(.8平方毫米)。相比之下，iPhone7Plus广角部分的传感器尺寸为.3平方毫米。TechInsights表示由于这一次是快速拆解分析，所以没有记录下彩色滤光片的图片，但是基本上可以确认单个像素尺寸大小为1.m。同时，苹果似乎运用了新的PhasePixel模式，并确认这是一个常规的背照式（BSI）传感器，也就是索尼的ExmorRS传感器。

　　TechInsights还表示，苹果似乎第一次运用了混合键合技术，因为确认了长焦部分混合的是1.0m单个像素尺寸的ExmorRS传感器，这一传感器尺寸为6.mmx5.mm(.8平方米毫米)。

-前置*头　　万像素的前置*头模块尺寸为6.8Xmmx5.8mmx4.4mm

　　传感器依然是索尼的SonyC*，尺寸为3.mmx5.mm（.8平方毫米），单个像素尺寸大小为1.0m，这两个指标都与iPhone7Plus的前置*头保持一致。关于索尼这枚ExmorRS传感器，TechInsights表示没有深入去了解。

基带　　iPhone8PlusA机型确认基于英特尔调制解调器搞定方案，拆解过程中看到的是英特尔新一代基带模块（调制解调器）：PMB。更仔细去研究发现，上面有XB的标识，因此完全可以确认这就是英特尔的XMM调制解调器，也就是英特尔的*LTE调制解调器。

　　XMM(PMB)调制解调器的大小为7.mmx9.mm(.平方毫米)，比前一代XMM(PMB)的7.mmx8.mm更大一些。TechInsights表示还会继续深入，等待更新，看看代工方是台积电还是英特尔本身。

RF射频收发器　　该收发器是IntelTrx最新的PMB。TechInsights表示实验室没有拍下更深入的图像，更多细节还要等待更新。不过，RF前端看起来很像iPhone7系列，包络*型号为Qorvo，高频PAMiD模块是BroadcomLC，高频PAMiD为BroadcomLE，低频PAMiD则为Qorvo。

电源管理IC　　电源管理IC型号是IntelPMB(也称为X-PMU)，上面还有AppleS,S的标识。闪存　　现在拆解的这款iPhone8PlusA机型，所配备的是SKHynix海力士的GBNAND闪存，编码标识为hq2t8qk6me*c。初步猜测是SK海力士的层架构3DNAND闪存，这点令人兴奋，深入细节等待更新。NFC*　　在iPhone8Plus中，TechInsights发现了来自恩智浦的NXPNFC模块。这枚芯片上有标识“V”的字眼，这与之前在iPhone7Plus中发现的“PNV”不一样。与此同时，TechInsights实验室通过X光照深挖到的*型号为7PNV0C。

　　TechInsights表示，从平面布局来看，iPhone8Plus的NFC*几乎与三星GalaxyS8系列*中PNTNFC*相同，表面上看不出它们之间有什么分别，具体还需要进行进一步的分析。iPhone8PlusNFC*的安全元件也与三星GalaxyS8系列*非常相似，具体也需要等待更新。

　　此前TechInsights曾深入分析过三星GalaxyS8系列的PNTNFC*和安全元件的X光照片。根据所述，PNTNFC*采用的是纳米节点，安全元件则是纳米的eFlash。Wi-Fi/蓝牙模块　　iPhone8Plus采用了USI环旭电子的SWi-Fi/蓝牙模块，具体还要深入拆解封装了什么。TechInsights认为，苹果已证实iPhone8和8Plus支持蓝牙5.0，因此这一USI模块中的监听组合芯片非常可能是博通的BroadcomBCM元件，因为之前在三星GalaxyS8的深入分析中，所采用的就是BroadcomBCM。　　除了BroadcomBCM，TechInsights还分析了其他蓝牙5.0芯片，其中包括来自德州仪器CCR2F、高通WCN以及DialogDA等IC元件。音频IC　　TechInsights的拆解中看到了3个编码标识为S的音频放大器。Lightning接口　　iPhone8Plus中运用的是赛普拉斯EZ-PD的CCG2USBType-C型端口*，零件标识码为CYPD。该芯片为iPhone带来了USB电力传输（USBPD）传输标准的快速充电体验，苹果官方与之兼容的配件为AppleUSB-C电源适配器(W型号A），此前年6月发布的iPadPro.5用的就是这款。ToF传感器　　去年，苹果在iPhone7/7Plus中运用的是前置的模块(ToF芯片+VCSEL)。TechInsights表示，这次同样的芯片再用于iPhone8Plus，来自于意法半导体，封装尺寸为2.mmx2.mmx1.mm，其中编号为S2LAC的传感器尺寸为1.mmx1.mm。