DDR4与DDR3内存的区别解析 (ddr4内存和ddr3内存相比有什么性能提升?)
整理分享DDR4与DDR3内存的区别解析 (ddr4内存和ddr3内存相比有什么性能提升?),希望有所帮助,仅作参考,欢迎阅读内容。
内容相关其他词:ddr3和ddr4内存区别大吗,ddr3和ddr4内存条之间有什么区别,ddr3内存和ddr4内存,ddr3和ddr4内存区别大吗,ddr3和ddr4内存的区别,ddr3与ddr4的内存条,性能差距多少,ddr4内存和ddr3内存相比有什么性能提升?,ddr4和ddr3内存,内容如对您有帮助,希望把内容链接给更多的朋友!
DDR4与DDR3内存的区别图1 一、DDR4比DDR3内存比较重要的改进: 1.比DDR3内存外观变化明显,金手指变成弯曲状,易于拔插并减少PCB压力。 2.比DDR3内存内部使用点对点传输、频率提升明显,最高可达MHz。 3.比DDR3内存容量提升明显,单根内存最高可支持到GB。 4.比DDR3功耗明显降低,电压降到1.2V、甚至更低。 二、DDR4与DDR3内存的区别: 1、卡槽差异 DDR4模组上的卡槽与DDR3内存模组卡槽的位置不同。两者的卡槽都位于*侧,但DDR4卡槽的位置稍有差异,以便防止将模组安装到不兼容的主板或平台中。DDR4与DDR3内存的区别图2 2、增加厚度 为了容纳更多信号层,DDR4模组比DDR3内存稍厚。DDR4与DDR3内存的区别图3 3、曲线边 DDR4模组提供曲线边以方便*和缓解内存安装期间对PCB的压力。(DDR4内存)DDR4与DDR3内存的区别图4(DDR4内存)(DDR3内存)DDR4与DDR3内存的区别图5 4、频率和带宽提升巨大 DDR内存的每个针脚都可以提供2Gbps(MB/s)的带宽,DDR-是.2GB/s,比之DDR-高出了超过%。DDR4与DDR3内存的区别图6DDR4与DDR3内存的区别图7 三、BankGroup设计 在DDR在发展的过程中,一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代,数据预取的增加变得更为困难,所以推出了BankGroup的设计。 BankGroup架构又是怎样的情况?具体来说就是每个BankGroup可以*读写数据,这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升,可以同时读取大量的数据,内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4与DDR3内存的区别图8 在DDR3内存上,内存和内存*之间的连接采用是通过多点分支总线来实现,这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力,无论你怎么增加内存容量,性能都不见的提升多少。 而DDR4采用了点对点总线设计,内存*每通道只能支持唯一的一根内存。这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过,点对点设计的问题也同样明显,一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存,因此如果DDR4内存单条容量不足的话,将很难有效提升*的内存总量,但3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术,它可以解决内存容量不足的问题。。 1、容量剧增,最高可达GB。 3DS(3-DimensionalStack,三维堆叠)技术是DDR4内存中最关键的技术之一,它用来增大单颗芯片的容量。 3DS技术最初由美光提出的,它类似于传统的堆叠封装技术,比如定位器芯片中的处理器和存储器很多都采用堆叠*在主板上以减少体积—堆叠*和堆叠封装的差别在于,一个在芯片封装完成后、在PCB板上堆叠;另一个是在芯片封装之前,在芯片内部堆叠。一般来说,在散热和工艺允许的情况下,堆叠封装能够大大降低芯片面积,对产品的小型化是非常有帮助的。在DDR4上,堆叠封装主要用TSV硅穿孔的形式来实现。DDR4与DDR3内存的区别图9 所谓硅穿孔,就是用激光或蚀刻方式在硅片上钻出小孔,然后填入金属联通孔洞,这样经过硅穿孔的不同硅片之间的信号可以互相传输。在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片MB,共颗),而DDR4则完全可以达到GB,甚至GB。 2、更低功耗更低电压 更低的电压:这是每一代DDR进化的必备要素,DDR4已经降至1.2V。 首先是功耗方面。DDR4内存采用了TCSE、TCAR、DBI等新技术。 TCSE:TemperatureCompensatedSelf-Refresh,温度补偿自刷新,主要用于降低存储芯片在自刷新时消耗的功率; TCAR:TemperatureCompensatedAutoRefresh,温度补偿自动刷新,和TCSE类似; DBI:DataBusInversion,数据总线倒置,用于降低VDDQ电流,降低切换*作。 这些技术能够降低DDR4内存在使用中的功耗。当然,作为新一代内存,降低功耗最直接的方法是采用更新的制程以及更低的电压。目前DDR4将会使用nm以下的工艺来制造,电压从DDR3内存的1.5V降低至DDR4的1.2V,移动版的SO-DIMMDDR4的电压还会降得更低。随着工艺进步、电压降低以及联合使用多种功耗控制技术的情况下,DDR4的功耗表现将是非常出色的。DDR4与DDR3内存的区别图 通过以上DDR4与DDR3内存的介绍,想必对它们都有了更多的了解,总的来说,DDR4相比DDR3内存不仅大幅提升了性能,还降低功耗,只不过DDR4内存针脚有所改变,不兼容DDR3平台,仅适合新平台。想了解更多电脑维护维修知识来访问《家电维修》技术。 我是《家电维修》技术的编辑:晨洋宝贝,主要负责”软件“”硬件“栏目的编辑工作,想参与”软件“”硬件“这两个栏目的朋友,维修,或发邮件,邮箱:zll@chinafix**,谢谢!