手机内存那些专业名词说的是啥？ (手机内存用的什么牌子)

1、内存双通道　　对于电脑的DIY玩家来说，内存双通道想必是极为熟悉的，而随着硬件技术的进步，内存双通道开始被定位器所使用。广义的说，内存双通道是指使用两条相同品牌相同容量内存组建的一种内存方式（当然自英特尔研发出弹性内存双通道技术后，用户完全可以使用不同品牌不同容量的内存来组建双通道内存，只是容量会有一定*），也就是使用两个内存*分别控制两条内存，理论上比单通道的性能要强，因此得到广泛采用。

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　　我们以PC为例来说明。普通的单通道内存*具有一个位的内存*，而双通道内存*则有2个位的内存*，在双通道模式下具有bit的内存位宽，从而在理论上把内存带宽提高一倍。　　虽然双位内存体系所提供的带宽等同于一个位内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。具体表现为两个内存*都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。　　比如说两个内存*，一个为A、另一个为B。当*B准备进行下一次存取内存的时候，*A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存*的这种互补“天性”可以让等待时间缩减%。双通道DDR的两个内存*在功能上是完全一样的，并且两个*的时序参数都是可以单独编程设定的。

　　目前，高通骁龙处理器已经支持双通道内存，然而经测试表明，*中双通道内存在实际表现中与单通道内存表现相差无几。究其原因，无外乎*整体的性能较PC还有较大的差距。即使是PC，也仅是在高负荷的情况下才能发挥出双通道的优势。　　就*目前的性能要求来看，带宽远不是瓶颈。对厂家来说，内存双通道更多是为未来做的技术准备，目前来看并没有什么卵用，因此对大多数安卓机来说，提高内存容量是比使用双通道技术更现实的事情。　　2、LPDDR3与LPDDR4　　如果您关注最新的定位器动态，就会发现近期的主流旗舰开始搭载全新的LPDDR4RAM。所谓的LPDDR，即LowPowerDoubleDataRateSDRAM，是DDRSDRAM的一种，又称为mDDR(MobileDDRSDRM)，是美国JEDEC固态技术协会（JEDECSolidStateTechnologyAssociation）面向低功耗内存而制定的通信标准，以低功耗和小体积著称，专门用于移动式电子产品。

　　LPDDR技术随着智能定位器领域整体的技术进步已然发展的十分成熟。如今应用最广的当属LPDDR3，由JEDEC固态技术协会于年5月正式发布。LPDDR3同LPDDR2一样，支持PoP堆叠封装和*封装，满足不同类型移动设备的需要，而且引入了全新的技术，如确保内存运行于业内最快输入总线速度的同时，维持数据输入设定、指令与*输入时序均满足需求的Write-LevelingandCATraining(写入均衡与指令*调驯)，相较于LPDDR2进步较大。

　　LPDDR4是全新的技术，在性能和集成度上较LPDDR3提高了一倍。也是得益于此，LPDDR4的运行电压降为1.1V，因此在功能和处理速度提高的同时，反而可以带来%的节电量，使电源处于最优状态，更加适用于大屏幕移动设备。　　3、eMMC5.0和UFS2.0　　说完RAM标准，我们来谈谈ROM标准。目前市面上主流的ROM标准有两种——eMMC5.0和UFS2.0。前者有更成熟的生产工艺，后者有更强大的性能。

　　eMMC的全称为“embeddedMultiMediaCard”，是由MMC协会所订立的、主要是针对定位器或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个*，它提供标准接口并管理闪存，eMMC利用的是它将主*、闪存颗粒整合到了一个小的BGA封装内。　　年7月日三星开始量产行业首款eMMC5.0存储产品，其读取速度为MB/s，但是因为使用的是8位并行界面，因此性能潜力已经基本到达瓶颈，以最新的eMMC5.1规范来说，其理论带宽为MB/s左右，性能的大提升基本是不可能的了。

　　与eMMC不同，UFS2.0的闪存规格则采用了新的标准，它使用的是串行界面，很像PATA、SATA的转换，并且它支持全双工运行，可同时读写*作，还支持指令队列。相比之下，eMMC是半双工，读写必须分开执行，指令也是打包的，在速度上就已经是略逊一筹了。　　要知道，UFS2.0闪存读写速度可以高达每秒MB，这相当于在两秒钟内读写两个CD光盘的数据，不仅比eMMC有更巨大的优势，而且它甚至能够让电脑上使用的闪存存储介质固态硬盘也相形见绌。　　除了在速度性能方面有着巨大优势之外，在功耗方面UFS2.0也有更好表现。事实上，如果从功耗方面来比较，新一代的UFS2.0标准是能够与eMMC持平的。在待机状态时两者功耗相近持平。而当UFS2.0满载时，所消耗的功率实际上比eMMC要多，但它可以更快地完成*作而更早地切换到待机状态，因此在功耗方面的表现UFS2.0与eMMC不相上下。