低内阻管6C33C-B功放 (低内阻mos)
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本机电路如图所示,前级也采用内阻较低的三极管6SN7(6N8P)两级直耦作电压及推动放大,以实现阻抗匹配,克服频率失真,提高线性。由于低内阻管极间电容较大,容易影响信号的高频响应及音乐细节,故本机前级电压放大管6SN7(6N8F}的阴极旁路电容用得较小,取值为0.uF,以提升信号的高频响应。本机的输出变压器的制作较为简单,选用截面为mmxmmZ或H优质EI型铁芯φ0.8mm漆包线,初级绕匝,次级绕匝,初次级可采用双线并绕的方法绕制,然后初级线段首尾串联即可,铁芯气隙0.2mm,阻抗约1k。本机人声音乐情感亮丽。这就是低内阻管的魅力。