高性能单片功放LM3875T (高端功放电路)
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在图2、3中;Ra提供直流偏压和偏流,Ca是交流耦合电容。Rb防止低电源电压时欠压电路保护。Cc降低频率高端增益,防止自激及抑制外界干扰。Ri反向输入电阻与Rf1反馈电阻共同决定功放的交流放大增益。C1反馈电容是保证直流增益及低频响应的电容,Rf2高频反馈电阻与补偿电容Cf能减小高频交流增益。L、R并联在输出端,高频时是高阻抗,可隔离较大的容性负载,降低容性负载造成的串联谐振Q值,也可提供对低频信号的通路将音频信号传输至负载。LMT具有很好的电源抑制比,不必要求使用稳压电源(但电压最大值不能超过IC极限值),只希望电源滤渡电容容量较大且尽量与IC电源端引脚接近,以消除低频振荡。为消除高频经电源的反馈可另并联0.1uF瓷片电容。LMT的过热保护选择在管芯温升在℃时,起到IC断路保护。因而正确选择散热器的原则是在额定功率内工作,使管芯升温低于保护值。由于散热器设计参数较多,影响关系较杂,希望读者尽量选择热阻小,散热面积大的散热板,保证手摸IC不明显烫手(注意lC第4脚与壳相通)。在电原理图中提供了常用功放闭环增益大于的稳定工作参数值。要修改增益请选择Rt与Rf的比值。图3、图5是单电源和双电源工作的印板图,在布线时应将负载地、输出补偿地和低电平地(反馈和输入)经不同路径至电路公共地,以免引起自激振荡,请读者实践。