采用IR2127的欠饱和检测电路
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图所示的电流检测电路是所谓的欠饱和检测电路。它起初用于IGBT,用来检测由于过流而过饱和的IGBT的电压。这就是说,它也可以用于MOSFET(MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”(Insulated-GateFieldEffectTransistor,IGFET),而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET,但是这些IGFET多半指的是MOSFET。)。对于MOSFET,原理相似,因为过载时FET上的电压将会显著增加。: