基于LM358的单片机掉电保护电路 (lm358芯片应用)
整理分享基于LM358的单片机掉电保护电路 (lm358芯片应用),希望有所帮助,仅作参考,欢迎阅读内容。
内容相关其他词:lm358芯片电路图,lm358单片机,lm358芯片功能和作用,lm358p芯片应用,lm358芯片的工作原理,lm358芯片电路图,lm358p芯片应用,lm358芯片应用,内容如对您有帮助,希望把内容链接给更多的朋友!
目前,掉电数据保护的方法主要有2种: (1)加足够容量备用蓄电池,使*掉电后继续工作; (2)不加备用电池,把掉电时需要保护的数据存储在非易失性存储器中,如FLASH和EEPROM。 第一种方法器件体积大、费用高并且蓄电池寿命短;第二种方法简单,但擦写器件的寿命有限。本文在第二种的基础上提出一种改进方法,即利用LM作为电压比较器,当检测到*掉电时才将数据写入EEPROM中。该方法不仅实现了*数据掉电的保护,而且延长了EEPROM的寿命。 基于LM的单片机掉电保护电路设计 如图1,通过调节R2,使*正常供电时,Ua》Ub=3.5V,c端输出高电平;当*掉电时,因二极管D1的隔离,使LM得不到供电。由于电容C2和电感L的存在,电容C2和电感L1继续为单片机提供短暂时供电,并且因下拉电阻R5的存在,使得c端输出低电平。用于触发单片机INT0中断。 根据STCC5AS2系列单片机资料,对EEPROM写一个字节和擦除一个扇区所需的时间分别为μs和ms。正常模式下,典型功耗为2mA-7mA。5V单片机和3.3V单片机对EEPROM进行*作的有效最低电压分别为Umin=3.7V和Umin=2.4V。 *掉电后,等效电路模型为RLC串联回路。放电过程时电路的微分方程为: 根据R、L和C的参数值的不同,可分为欠阻尼振荡状态、临界阻尼状态、过阻尼状态。上面的方程可分为以下三种: 综上所述:当负载R一定时,选取合适的电容和电感(本文选取C2=uf/V、L1=0.1H)。L1和C2的具体参数可通过试验测试得到。只要uc(t)从初始状态的uc(t)|t=0衰减到uc(t)|t=t0=Umin的时间大于维持触发中断对EEPROM进行*作所需的时间t0就能满足*正常工作的要求。 单片机软件设计 主程序和中断服务子程序流程图分别如下图2和图3所示。 图2:主程序 图3:中断服务子程序 与本设计有关的程序如下: voidmain(void) { ?? Byte_Read(Address); While(1) {??} } voidINT0_int()interrupt0 { Sector_Erase(Address); Byte_Program(Address,Date); Delay(XX);//延时,确保*可靠 } 分析:*掉电时,INT0中断被触发,在中断服务子函数中对EEPROM进行擦除和写的*作。 总结 该*的实现,应用于二维运动控制平台。*掉电时,X轴和Y轴坐标以及其他参数被写入EEPROM中。*重新上电后,读取出存储在EEPROM里X轴和Y轴坐标及其他参数,工作平台以该位置为起点继续沿着原设定的位置运动。 本文的核心就是基于LM作为电压比较器,检测到*掉电时才对EEPROM进行擦写,避免了每执行一遍程序对EEPROM进行擦除一次而造成其寿命短的问题。软、硬件结构设计简单,提高了*的实用性。 本文给出了典型的应用程序,具有良好的可移植性。加入循环语句可以把多个数据存EEPROM或从EEPROM里读出。标签: lm358芯片应用
本文链接地址:https://www.iopcc.com/jiadian/31161.html转载请保留说明!