发光二极电子沙漏的制作 (发光二极管百度百科)

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　　1电路结构。　　电子沙漏是一个级联运用移位寄存器的典型实例，电路图如图1所示，它包括五个组成部分：　　（1）集成电路IC1、IC2组成的位移a位寄存器；　　（2）开关S1、S2,二极管VD、VD、VD,电阻R等组成的输入数据控制电路；　　（3）晶体管VT1~VT和VT1'~VT组成的输出状态控制电路；　　（4）发光二极管VD1~VD和VD1~VD组成的显示电路；　　（5）反相器D1、D2等组成的时钟振荡器。　　在结构上，两组各个发光二极管分别排列成为两个三角形，如图3所示。其中：VD1~VD位于上部，排列成倒三角形；VD1~VD位于下部，排列成正三角形。两个三角形的顶尖相对，组成沙漏形状。当上部有一个发光二极管熄灭时，相应地下部就有一个发光二极管点亮，模拟了沙漏的运动。　　2简要工作原理。　　集成移位寄存器IC1、IC2级联组成位移位寄存器，构成了电子沙漏的主体控制电路。每一位寄存单元都分别通过NPN晶体管VT和PNP晶体管VT'形成Q和/Q两个互为反相的输出状态，分别控制VD和VD'两组发光二极管。位移位寄存器的串行数据输入端D的状态受位置控制电路的控制。当电子沙漏正向放置时（发光二极管VD1~VD在上部且全亮），串行数据输入端D=0,并在时钟脉冲CP的作用下逐步右移，使VD1~VD一个接一个地熄灭，同时VD1~VD一个接一个地点亮，直至VD1~VD全灭，VD1~VD全亮。　　当把电子沙漏上下颠倒过来后，串行数据输入端D=1,并在CP作用下逐步右移，又使VD1~VD（此时在上部）一个接一个地熄灭，同时VD1~VD（此时在下部）一个接一个地点亮，直至VD1~VD全灭，VD1~VD全亮。　　二、主要单元电路分析　　位静态移位寄存器　　位移位寄存器由四个4位静态串入-并出移位寄存器串接而成（最后1位不用），如图4所示。实际电路中，移位寄存器采用了两块CMOS双4位静态移位寄存器集成电路CD.每一块CD内部含有两组*的4位串入-并出移位寄存器，其串行数据输入端D上的数据，在时钟脉冲CP上升沿的作用下向右移位。设位移位寄存器初始状态为全1,串行数据输入端D=0.当第1个CP脉冲到来时，移位寄存器的第1位变为0;第2个CP脉冲到来时，移位寄存器的第2位变为0;……；第个CP脉冲到来时，移位寄存器的第位变为0,即位移位寄存器的状态变为全"0".　　由于CD的每一位寄存单元只有Q输出端，因此在每一位寄存单元的Q端同时接有NPN型（VT）和PNP型（VT）两个射极跟随器，其输出状态：VT形成Q,VT形成/Q.　　2输入数据控制电路。　　电子沙漏的工作模式要求。当Q1~Q为1时，输入数据D应为0；当Q1~Q为"0"时，输入数据D应为"1".D端状态的转换由输入数据控制电路完成。当Q1~Q为"1"时，由S1接通电源，R将D端箝位到地，D=0;当Q1~Q为"0"时，由S2接通电源，电源电压经VD加至D端，D=1.　　3输出状态控制电路　　晶体管VT1~VT构成个NPN型射极跟随器，分别控制发光二极管VD1~VD.晶体管VT1~VT构成个PNP型射极跟随器，分别控制发光二极管VD1~VD.位移位寄存器的每一位寄存单元的Q输出端，同时接有NPN型（VT）和PNP型（VT）两个射极跟随器。以第一寄存单元为例：当Q=1时，NPN晶体管VT1导通，发光二极管VD1亮；同时PNP晶体管VT截止，发光二极管VD1熄灭。当Q=0时，NPN晶体管VT1截止，VD1灭；PNP晶体管VT1导通，VD1亮。　　4位置控制电路　　由于电源开关S1、S2同时要控制移位寄存器输入数据D的状态，而D的状态又应与电子沙漏的摆放位置相关，因此S1、S2设计成重力开关，结构如图5所示。　　当电子沙漏的VD发光二极管在上部时，重力开关的位置是S2在上、S1在下，如图所示。这时，落下的金属球使S1接通，+4.5V电源经VD提供给电路工作。由于VD的阻隔作用，+4.5V电源不能到达D端，D=0.当将电子沙漏颠倒过来后（VD发光二极管在上部），变为S1在上、S2在下，如图所示。这时，落下的金属球使S2接通，+4.5V电源经VD提供给电路工作，同时经VD加至D端，使D=1。　　5速度控制电路　　反相器D1、D2组成多谐振荡器，产生周期约为1s的连续方波，作为移位寄存器的时钟脉冲CP.调节多谐振荡器的振荡周期，即可调节电子沙漏的流动速度。振荡周期越短，沙漏速度越快。　　三、制作要点　　1制作　　重力开关可按图5所示自制。安装时重力开关的平面a应与面板平行，S2的一端在上、S1的一端在下。电路无须调试即可使用。　　2使用　　将电子沙漏竖立起来，代表沙粒的发光二极管亮点便开始往下漏。漏完以后，将电子沙漏上下颠倒过来，又会重新开始往下漏。不用时，将电子沙漏横着放置，电源便会关断，所有发光二极管均熄灭。: