新型助听、催眠、记忆增强型多功能电路图 (听觉助眠)
编辑:rootadmin
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本电路由一个CMOS六反相器组成。A—D组成奇数级负反馈放大器。R1为反馈电阻，调节R2和R1的比值可调节电压增益，其典型增益可达倍。F3和F4并联是为了增强放大器的负载能力。E和F构成一个低频信号发生器，它是一个最简单的CMOS多谐振荡器。它的振荡频率约为0.7Hz。改变C2或R3，可改变其振荡频率。R4和MIC构成拾音电路。 在作助听和记忆增强应用时，开关S置于1的位置，MIC将外界声音转换为电信号进入放大器进行放大，再由*输出。作记忆增强时，用双*听可减少外界干扰。 在作*器时，开关S置于2的位置，0.7Hz的低频信号经变压器放大，在*中可以听到“嗒嗒”的拍点声，类似下雨时的声音，让人放松，从而起到*的作用。:
