EMC知识——RS485 接口的电磁兼容设计 (rs485+)
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1.D1、D2为气体放电管,主要用来泄放共模浪涌能量,气体放电管击穿电压V,通流量1kA;2.D3、D4、D5为半导体放电管,主要用来泄放共模以及差模浪涌能量,半导体放电管型号BSN-C,其导通电压为V,通流量为A;3.R1、R2选用Ω,(不用逗号)1/2W的电阻,因半导体放电管启动电压要低于气体放电管,为保证气体放电管能顺利的导通,泄放大能量必须增加此电阻(R1、R2)进行分压,确保大部分能量通过气体放电管泄放,半导体放电管作精细防护;4.C1、C2电容,给干扰提供低阻抗的回流路径,能有效减小对外的共模干扰电流同时对外界干扰能适当的滤波;此电容容值可以根据实际的情况进行调整,从pF至pF,典型值为pF;5.共模电感能够对衰减共模干扰,对单板内部的干扰以及外部的干扰都能抑制,能提高产品的抗干扰能力,同时也能减小通过信号电缆对外的辐射,共模电选择MHz时阻抗为Ω的器件;6.在实际测试中如果接口存在EMC问题,以上元器件均可调整,具体元器件调整参数参照《常用电磁兼容器件选型规范》。四、RS接口PCB设计PCB设计要点:1、元器件布局要紧凑,元器件位置要按照信号流向进行布局;2、遵循先防护后滤波的原则;3、地设计时要保证防护地与数字地隔离;4、信号走线要平行等长走线;5、在进行PCB铺铜时,注意防护器件以及共模电感正下方掏空处理。