IGBT的VCR(压控电阻)等效电路模型电路设计 (igbt调压)

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　　IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为V及以上的变流*如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。如图为IGBT的VCR(压控电阻)等效电路模型电路设计。: