主板CPU的PWM供电电路 (主板pwm输出)

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　　这是一个三相供电图，Q1和Q2组成一相，Q3和Q4组成一相，Q5和Q6组成一相。每一相都是在PWM控制IC（CS）的控制下，轮流导流的，而不是同时导通。CS通过Gate1（H）脚输出控制Q1导通与截止，通过Gate2（L）输出控制Q2的导通与截止。当Gate1（H）输出时，Q1导通，此时Q2截止（Gate1（L）无输出），+V　　端L4及滤波电容C和C的储能，通过Q1释放并向L1及其后并联的滤波电容（储能电容的安装数字电路的电源线与回流线之间总要连接很多的电容器通常称为滤波电容。）充电，L1储能。当Q1截止Q2导通时，L1上的储能通过Q2向滤波电容充电。一相完成一个导通截止期后，下一相再工作。多相轮流工作的好处是，功率管有更多的休息时间，减小了发热。　　有的主板为减小发热，每一相上还并联一个MOS管，或预留有并联的位置。（发给媒体评测的板子就焊上并联管，零售的就取消了变成了预留并联位）　　因为CPU的供电电压为低电压（1.1-1.8V），而电源为CPU供电的电压比较高（P4为+V,AMD大部分是+5V现在AMD也越来越多的用+V供电了），所以Q1通过的电流比Q2要小，Q1可以取指标小点。同样，储能电感L4的指标也比后面的L1（L2、L3）小，我们在主板实物中看到：如果是环形的L4（和L1、L2、L3外形相同），但它上面绕的线也比L1等要稀。　　这也是我们在一些主板上看到MOS管（mos管是金属（metal）-氧化物（oxid）-半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体（insulator）-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。）大小不一样的情景。大多数主板为了采购生产方便，Q1和Q2型号相同。　　以上实质上就是一个DC-DC变换，L4及C-组成前级DC.L1（L2、L3及并联的滤波电容）构成后级DC　　通过上面介绍，我们知道PWM供电电路必须包含前DC-DC的前级电路和DC-DC后级各相组成的电路。根据这个特点，我们就比较好分辨出主板是几相供电了。: