矽力杰集成功率级DrMOS方案 (矽力杰主要产品)

{本文由家电维修技术小编收集整理资料}伴随着CPU,GPU等的性能进步和制程发展，主板的供电设计也迎来了更多的挑战，大电流、高效率、空间占用小、动态响应快、保护更智能的需求使得传统的采用分立MOS的方案逐渐被取代，SPS/DrMOS的解决方案凭借更好的性能表现成为主流。

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矽力杰DrMOS方案SQ采用业界标准封装，芯片内部集成两个高性能的MOS和驱动及控制单元，通过优化设计的内部结构和驱动控制，能够实现高效率、高功率密度以及良好的散热性能。严密的控制和保护逻辑使其能轻松兼容主流的前级*，适用于CPU，GPU以及POL的电源设计。SQV/A集成功率级DrMOS◆A连续电流输出能力，A峰值电流输出能力◆VCC/VDRV/VBST欠压保护◆开关频率可达1MHz◆集成自举二极管◆兼容3.3V/5VPWM电平，支持三态信号输入◆三态中自举电容充电功能◆5mV/A实时电流上报◆8mV/℃内部温度上报◆可编程的逐周期峰值限流和谷值限流及故障上报◆负限流保护◆过热保护◆上管短路保护及故障上报◆业界标准的QFN5×6封装典型应用

图1SQ典型应用框图SQ支持5V~V的Vin电压范围。输入信号兼容3.3V/5V电平，支持三态信号以实现不同工作模式的控制。死区时间，传播延迟和驱动边沿的调整使其可以高效安全运行。SQ内部集成了8mV/℃的温度传感器，通过TMON实时报告温度，℃下典型输出电压为mV，TMON内部可上拉或下拉用作故障标志位。SQ可以实时采样内部MOSFET的电流信息并重建为与电感电流成正比的三角波，内建的温度补偿使其能达到5mV/A±5%的精度输出。SQ支持包括OCP，NOCP，OTP，pre-OVP，HSS等多种保护，以实现安全可靠运行。

图2IMONwaveform

图3IMON精度曲线应用场景

CPU/GPU传统的供电设计，是将上行MOS管、下行MOS管和驱动IC单独放置，致使PCB面积难以得到有效利用，并且降低电流的整体转换效率，这对于对供电要求越来越高的处理器而言，演化而成一个亟待解决的问题。笔记本电脑、各类服务器的CPU以及显卡GPU的供电*（VRM），输出电流大，要求具有快速瞬态响应特性，通常采用多相同步BUCK降压转换器。SQ通过高集成整合，将MOS管与驱动IC整合在一起，集成自举二极管，最大程度减少寄生电感、电容影响，降低*整体尺寸，大幅提高功率密度，满足高端主板节能、低温、高效能超频等特色，提供优质供电。