了解RET的开关特性 (res是什么开关)
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△配电阻晶体管(RET)电压和电流(VI)参数IC/IIN是指RET的电流增益hFE,其中的IIN包括基极电流和流经R2的电流(IR2=VBE/R2)。因此,hFE比RET小,后者只有一个串联基极电阻R1。因为输入电流从基极分流,所以R2值越低,hFE值就越小。从表1可看出这一点。VCEsat是RET开关处于导通状态时集电极-发射极的残余电压。测量hFE的测试条件是施加0.5mA的基极电流和mA的集电极电流。Vi(off)是RET器件关闭时的输入电压。在这种情况下,集电极泄漏电流为µA,集电极-发射极电压(VCE)为5V。表中提供的V(Ioff)max较低值是RET驱动级的最大允许输出电平。该条件必须要满足,以确保RET在关断状态下可以安全运行。当测试处于导通状态的RET时,VI(on)min是最关键的参数。用于驱动RET的电路必须能够提供该电压电平,以确保安全开启。导通状态是指集电极-发射极电压为0.3V时,集电极电流为mA的状态。RET数据手册中规定的VI额定值仅针对这些测试条件有效。RET需通过更大的基极驱动电压VI(on)来获得更大的开关电流。图2显示了RET晶体管的电压-电流(VI)开关特性。●VI<VI(off)max:所有RET器件均保证处于关断状态●Vi<Vi(off)typ:典型RET处于关断状态●Vi<Vi(off)typ:典型RET处于导通状态●VI>VI(on)min:所有RET器件均保证处于导通状态