肖特基二极管的特点与型号命名规律 (肖特基二极管的特点)

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的，全称是肖特基整流二极管(SchottkyRecti-fierDiode，缩写为SR)，或肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode，缩写为SBD)。该器件是近年来问世的低功耗大电流超高速半导体器件，其整流电流可达到数百安培，现已广泛应用于开关电源、变频器驱动器等电路中，作为高频、低压、大电流整流二极管续流二极管、保护二极管，或在微波通信电路中作为整流二极管或小信号检波二极管。一、结构简介肖特基二极管内部结构与普通PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料.N-外延层(砷材料)、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如图1所示。

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N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小;反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。肖特基二极管主要优点有以下两点:一是正向压降低(0.2V~0.4V)，约为一-般硅二极管的一半，其伏安特性曲线如图2所示。

由于正向压降低，则肖特基二极管在正向导通时的功耗较小，这是普通二极管不能比拟的，尤其是在大电流电路中。第二个优点是反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，比超快速恢复二极管的反向恢复时间还要短。肖特基二极管的缺点是其反向偏压较低与反向漏电流偏大。普通肖特基二极管的反向偏压大多不高于V(部分新品最高约V)，其反向漏电流表现为正温度特性，容易随着温度升高而急剧变大。提示:虽然肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点，但由于其反向偏压较小，所以多用于低压整流电路中，如液晶彩电开关电源(SMPS)次级的+V、+V、+5V整流，而开关电源初级和功率因数校正(PFC)电路中的整流二极管、续流二极管、升压二极管等，只能采用快恢复二极管(FRED)或超快速恢复二极管(UFRD)。二、封装形式

肖特基二极管分为有引线安装和表面安装(贴片式)两大类，具体封装形式如图3所示。采用有引线.的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。另外，根据每个单体中所含有肖特基二极管的数量又分为单管式和对管(双二极管)式两种方式。所谓单管式即内部只含有一只肖特基二极管，而对管式是指内部含有两只肖特基二极管，其具体连接又分为:共阴(两管的负极相连)、共阳(两管的正极相连)和串联(一只二极管的正极接另一只二极管的负极)三种方式。三、型号命名规律肖特基二极管的型号前缀分三大类，一类是以字母SR、SB、IN、BAT、SL、STB或STP打头，尤其是前三者用得较多，如SR、SRCT、SBCT、1N、1N等。第二类是以字母ss打头，这类为表面贴片封装肖特基二极管，如SS、SS、SS、SS等。常见的SR、IN、BAT系列肖特基二极管主要参数见表1。

第三类命名是以字母MBR打头，国际通用肖特基二极管大都采用此方式，如MBR、MBR等。在该前缀中，M、B、R分别取自MOTOROLA(摩托罗拉半导体公司)、Barier(势垒)、Rectifer(整流器)的首字母，意为整流器件。在MBR、SB系列肖特基二极管命名中，包含有主要参数信息，其识别方法如下:若型号中*数字有4位或5位，则最先出现的两位数字表示最大电流值;若*数字只有3位，则最先出现的一位数字表示最大电流值。其余的两位或三位数字表示耐压值，最后的字母表示封装形式，例如:MBRCT，"”表示该管的最大电流为A，“”表示耐压为V，“C”表示采用TO-AB封装(常指半塑封)，“T”表示内含两只二极管(共阴极式);MBR，表示最大电流为6A，最高耐压为V。值得一提的是，若表示最大电流的两位数字以0开头，则表示最大电流为零点几安培，例如:MBR，则表示最大电流为0.5A。另外，在部分MBR系列肖特基二极管命名中，第四位字母表示封装形式，如MBRDxxxxx、MBRBxXXXX、MBRFXXXXx等，第四位字母分别为“D"“B”、“F"，则分别表示封装形式是DPAK、D2PAK.TO-全塑封。