大功率半导体器件常识（新手必学） (大功率半导体器件封装材料)

1、整流桥的主要参数VRRM-反向重复峰值电压--定义为可反复外加地反向电压的最大容许峰值VRSM-反向不重复峰值电压--可不重复外加地反向电压的最大允许电涌值VR-反向电压--可外加的反向电压最大值IFRM-正向重复峰值电流--可重复外加的正向电流的最大允许电漏值IFSM-正向不重复峰值电流--不重复外加的正向电流的最大允许电涌值IF-正向电流---可正向涌入的最大电流Ti-PN结处温度--规定作为额定标准的结处温度，以器件工作中的允许范围表示Tstg-PN结保存温度--在不加功率的状态下，避免电气特性发生异常的温度范围Topr-工作环境温度--制定的加热条件基础下，可工作的环境温度临界值Pd-损耗容限--在指定条件下，二极管可反复消耗的最大允许功率值2、整流二极管浪涌电流相关知识在国内生产厂家对整流二极管浪涌电流的测试标准（国标）是在整流二极管两端加上一个时间常数ms，导通角为0°~°正弦*脉动电流3、查新电元器件DXB（A/V）整流桥参数如下：

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