石英晶体谐振器的原理和特点 (石英晶体谐振器工作原理)
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(2)、压电效应若在石英晶体的两个电极上加一电场,晶片就会产生机械变形。反之,若在晶片的两侧施加机械压力,则在晶片相应的方向上将产生电场,这种物理现象称为压电效应。如果在晶片的两极上加交变电压,晶片就会产生机械振动,同时晶片的机械振动又会产生交变电场。在一般情况下,晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小,但当外加交变电压的频率为某一特定值时,振幅明显加大,比其他频率下的振幅大得多,这种现象称为压电谐振,它与LC回路的谐振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。(3)、符号和等效电路石英晶体谐振器的符号和等效电路如图所示当晶体不振动时,可把它看成一个平板电容器称为静电电容C,它的大小与晶片的几何尺寸、电极面积有关,一般约几个pF到几十pF。当晶体振荡时,机械振动的惯性可用电感L來等效。一般L的值为几十mH到几百mH。晶片的弹性可用电容C來等效,C的值很小,一般只有0.~0.1pF。晶片振动时因摩擦而造成的损耗用R來等效,它的數值约为Ω。由于晶片的等效电感很大,而C很小,R也小,因此回路的品质因數Q很大,可达~。加上晶片本身的谐振频率基本上只与晶片的切割方式、几何形状、尺寸有关,而且可以做得精确,因此利用石英谐振器组成的振荡电路可获得很高的频率稳定性。(4)谐振频率从石英晶体谐振器的等效电路可知,它有两个谐振频率,即a、当L、C、R支路发生串联谐振时,它的等效阻抗最小(等于R)。串联谐振频率用fs表示,石英晶体对于串联谐振频率fs呈纯阻性。b、当频率高于fs时L、C、R支路呈感性,可与电容C发生并联谐振,其并联频率用fd表示。根据石英晶体的等效电路,可定性画出它的频率特性曲线图所示。可见当频率低于串联谐振频率fs或者频率高于并联谐振频率fd时,石英晶体呈电容性。仅在fs<f<fd极窄的范围内,石英晶体呈电感性。二、石英晶体振荡器的类型特点石英晶体振荡器是由品质因素极高的石英晶体振子(即谐振器和振荡电路)组成。晶体的品质、切割取向、晶体振子的结构及电路形式等,共同决定振荡器的性能。国际电工委员会(IEC)将石英晶体振荡器分为4类:普通晶体振荡(TCXO),电压控制式晶体振荡器(VCXO),温度补偿式晶体振荡(TCXO),恒温控制式晶体振荡(OCXO)。目前发展中的还有数字补偿式晶体损振荡(DCXO)等。(1)普通晶体振荡器(SPXO)可产生-5~-4量级的频率精度,标准频率—MHZ,频率稳定度是±ppm。SPXO没有采用任何温度频率补偿措施,*低廉,通常用作微处理器的时钟器件。封装尺寸范围从××6mm及5×3.2×1.5mm。(2)电压控制式晶体振荡器(VCXO)的精度是−6~-5量级,频率范围1~MHz。低容差振荡器的频率稳定度是±ppm。通常用于锁相环路。封装尺寸××3mm。(3)温度补偿式晶体振荡器(TCXO)采用温度敏感器件进行温度频率补偿,频率精度达到−7~-6量级,频率范围1—MHz,频率稳定度为±1~±2.5ppm,封装尺寸从××mm至.4×9.6×3.9mm。通常用于手持电话、蜂窝电话、双向*通信设备等。(4)恒温控制式晶体振荡器(OCXO)将晶体和振荡电路置于恒温箱中,以消除环境温度变化对频率的影响。OCXO频率精度是−7~-8量级,对某些特殊应用甚至达到更高。频率稳定性在四种类型振荡器中最高。三、石英晶体振荡器的主要参数晶振的主要参数有标称频率,负载电容、频率精度、频率稳定度等。不同的晶振标称频率不同,标称频率大都标明在晶振外壳上。如常用普通晶振标称频率有:kHz、kHz、.5kHz、1MHz~.MHz等,对于特殊要求的晶振频率可达到MHz以上,也有不具标称频率的,如CRB、ZTB、Ja等系列。负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和,可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振,负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率,一个是串联谐振晶振的低负载电容晶振:另一个为并联谐振晶振的高负载电容晶振。所以,标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一致,不能冒然互换,否则会造成电器工作不正常。频率精度和频率稳定:由于普通晶振的性能基本性能达到一般电器的要求,对于高档设备还需要有一定的频率精度和频率稳定性。频率精度从量级到量级不等。稳定度从±1到±ppm不等。这要根据具体的设备需要而选择合适的晶振,如通信网络,*资料传输等*就需要更高要求的石英晶体振荡器。因此,晶振的参数决定了晶振的品质和性能。在实际应用中要根据具体要求选择适当的晶振,因不同性能的晶振其*不同,要求越高*也越贵,一般选择只要满足要求即可。