IGBT驱动的作用与原理 (igbt驱动电路原理)
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图1采用脉冲变压器隔离驱动IGBT该方式是利用变压器的工作原理,由次级感应电压直接驱动IGBT,如上图1所示。由于变压器具有阻抗变换与隔离作用,所以这种驱动方式不仅简化了驱动电路,还解决了驱动电路的供电与IGBT不共地的连接问题。2、采用光耦合器及CMOS驱动IGBT图2采用光耦合器及CMOS驱动IGBT电路如上图2所示,该电路自身带过流保护功能,光耦合器将脉冲控制电路与驱动电路隔离,的四个与非门并联工作提高了驱动能力,互补晶体管V1、V2降低驱动电路阻抗,通过R1、C1与R2、C2获得不同的正、反向驱动电压,以满足各种IGBT对栅极驱动电压的要求。该电路由于受光耦合器传输速度的影响,其工作频率不能太高,同时受型CMOS电路最高工作电压的*,使+VGE和-VGE的幅值相互牵制,并受到*。3、用专用混合集成驱动电路目前,国外很多生产IGBT器件的公司,为了解决IGBT驱动的可靠性问题,纷纷推出IGBT专用驱动电路,如美国MOTOROLA公司的MPD系列、日本东芝公司的KT系列、日本*公司的EXB系列等。这些驱动电路抗干扰能力强,集成化程度高,速度快,保护功能完善,可实现IGBT的最优驱动,但一般*比较昂贵,对于普通用户很难接受。三、IGBT参数对驱动电路设计的要求IGBT的驱动条件与它的静态和动态特性密切相关。栅极的正偏压+VGE、负偏压-VGE和栅极电阻RG的大小,对IGBT的通态电压、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dVCE/dt等参数都有不同程度的影响。门极驱动条件与器件特性的关系如表1所示。表1门极驱动条件与器件特性的关系1、正偏压+VGE的影响当VGS增加时,通态电压下降,IGBT的开通能量损耗下降,但是VGE不能随意增加,因为VGE增加到一定程度之后对IGBT的负载短路能力及dVCE/dt电流有不利影响。2、负偏压-VGE的影响负偏压也是很重要的门极驱动条件,它直接影响IGBT的可靠运行。虽然-VGE对关断能耗没有显着影响,担负偏压的增高会使漏极浪涌电流明显下降,从而避免过大的漏极浪涌电流使IGBT发生不可控的擎住现象。3、门极电阻RG的影响门极电阻增加,使IGBT的开通与关断能耗均增加,门极电阻减小又使di/dt增大,可能引发IGBT误导通,同时RG上的能耗也有所增加。所以通常RG一般取十几欧到几百欧之间。因此,为了使IGBT能够安全可靠得到通和关断,其驱动电路必须满足一下条件:(1)、由于是容性输入阻抗,IGBT对门极电荷集聚很敏感,因此要保证有一条低阻抗值得放电回路。(2)、门极电路中的正偏压应为+-V,负偏压-2--V。(3)、驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离。(4)、门极驱动电路应尽可能简单实用,具有对IGBT的自保护功能,并有较强的抗干扰能力。标签: igbt驱动电路原理
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