可控硅的简单介绍 (可控硅的基本知识)
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二、可控硅的触发过零触发-一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,必须是过零点才触发,导通可控硅。非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过改变正弦交流电的导通角(角相位),来改变输出百分比。1、额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的赫兹正弦*电流的平均值。2、正向阻断峰值电压VPF在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。3、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。4、控制极触发电流Ig1、触发电压VGT在规定的环境温度下,阳极---阴极间加有一定电压时,可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。5、维持电流IH在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。近年来,许多新型可控硅元件相继问世,如适于高频应用的快速可控硅,可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅,可以用正触发信号使其导通,用负触发信号使其关断的可控硅等等。三、可控硅的主要参数可控硅的主要参数:1额定通态电流(IT)即最大稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。2反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。3控制极触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。四、可控硅的常用封装形式常用可控硅的封装形式有TO-、TO-、TO-AB、TO-、TO-AB、TO-*、SOT-、TO-、TO-等。