数字电路基础第九课:效场应管 (数字电路基础第二版)
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场效应管根据其结构不同分为两种:1、结型场效应管JFETjunctiontype2、绝缘栅型场效应管MOSFETmetaloxidesemiconductortypeFET7.2结型场效应管(JFET):一、结构二、工作原理(以N沟道为例)N沟道结型场效应管的特性曲线转移特性曲线N沟道结型场效应管的输出特性曲线7.2.2P沟道结型场效应管特性曲线输出特性曲线结型场效应管的缺点:1.栅源极间的电阻虽然可达以上,但在某些场合仍嫌不够高。2.在高温下,PN结的反向电流增大,栅源极间的电阻会显著下降。3.栅源极间的PN结加正向电压时,将出现较大的栅极电流。绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。7.3绝缘栅场效应管(MOS):7.3.1、N沟道增强型FET的结构和电路符号7.3.2、MOS管的工作原理以N沟道增强型(NMOS)为例增强型N沟道MOS管的特性曲线输出特性曲线7.3.4N沟道耗尽型FET(NMOS)耗尽型N沟道MOS管的特性曲线耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道,加反向电压才能夹断。7.4MOS门电路7.4..1MOS反相器7.4.2CMOS反相器试求:静态工作点,电压放大倍数自偏压电路7.4.3CMOS电路的优点1.静态功耗小。2.允许电源电压范围宽(3V)。3.扇出系数大,抗噪容限大。完结。此资料来自家电维修技术维修基础频道(*jdwx*/html/base/)转载请注明出处!