可控硅的特性和使用方法 (可控硅的构成)
编辑:rootadmin
对单向可控硅来说,当栅极电压达到门限值Vgt且栅电流达到门限值Igt时,可控硅被触发导通。当触发电流的脉宽较窄时,则应提高触发电平。当负载电流超过单向可控硅的闩电流IL时,即使此时的栅电流减为零,可控硅仍能维持导通状态、为了保证电路在环境最低温度情况下也能正常工作,则要求驱动电路能提供足够高的电压、电流及占空比的控制信号。高灵敏度的单向可控硅,会在高温下因阳-阴极间的漏电流而误触发,应确保不超过Tjmax。为了可靠地关断单向可控硅,负载电流必须降到低于保持电流Ih并维持一定的时间。标准的双向可控硅既可被栅极的正向电流触发,也能被栅极的反向电流触发,它可以在四个象限内导通。在负载电流为零时,最好用反相的直流或单极性脉冲的(栅极)电流触发。在通常的交流相位控制电路中,如电灯调光器和家用马达调速器等,可控硅G与MT2的极性要一致,在设计可控硅时要避免在3+区域内工作(MT2为-,G为+)。值得注意的是,双向可控硅可能在一些意想不到的情况下触发导通,其后果有些问题不大,而有些则有潜在的*性。1.栅极上的噪声电平在有电噪声的环境中,如果栅极上的噪声电压超过Vgt,并有足够的栅电流激发可控硅内部的正反馈,则也会被触发导通。应用安装时,首先耍使栅极外的连线尽可能短。当连线不能很短时,可用绞线或*线来减小干扰的侵入。然后在G与MT1之闻加一个1k的电阻来降低其灵敏度,也可以再并联一个nF的电容,来滤掉高频噪声。2.关于转换电压变化率当驱动一个大的电感性负载时,在负载电压和电流间有一个很大的相移。当负载电流过零时,双向可控硅开始换向,但由于相移的关系,电压将不会是零。所以要求可控硅要迅速关断这个电压。如果这时换向电压的变化超过允许值时,就没有足够的时间使结间的电荷释放掉,而*使双向可控硅回到导通状态。为了克服上述问题,可以在端子MT1和MT2之间加一个RC网络来*电压的变化,以防止误触发。一般,电阻取Ω,电容取nF。值得注意的是此电阻不能省掉。3.关于转换电流变化率当负载电流增大,电源频率的增高或电源为非正弦波时,会使转换电流变化率变高,这种情况最易在感性负载的情况下发生,很容易导致器件的损坏。此时可以在负载回路中串联一只几毫亨的空气电感。4.关于可控硅开路电压变化率dVd/dt在处于截止状态的双向可控硅两端加一个小于它的Vdfm的高速变化的电压时,内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅导通。这在高温下尤为严重,在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来*dVd/dt,或可采用高速可控硅。5.关于连续峰值开路电压Vdrm在电源不正常的情况下,可控硅两端的电压会超过连续峰值开路电压Vdrm的最大值,此时可控硅的漏电流增大并击穿导通。如果负载能允许很大的浪涌电流,那么硅片上局部的电流密度就很高,使这一小部分先导通。导致芯片烧毁或损坏。另外白炽灯,容性负载或短路保护电路会产生较高的浪涌电流,这时可外加滤波器和钳位电路来防止尖峰(毛刺)电压加到双向可控硅上。