单结管分压比η的简易测试 (单结晶体管分压比)
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当在b2-b1极之间外加一定数值的直流电压Ubb)(b2接正)时,位于b2-b1极之间的发射极所处的电位大小由上下两部分硅片的电阻rb2与rb1形成的分压比决定,即分压比η=rb1/rb1+rb2。当发射极电位Ue=ηUbb+UD时(UD即等效二极管的正向压降,约0.7V,见图1),e对b1开始导通。此时的Ue值称为峰点电压Up。单结管导通后,b1极的体电阻rb1进入负阻区,阻值迅速减小。这时如果Ue值降低至单结管的谷点电压(一般值为1.5V-3.5V,因管而异)。则单结管重新进入阻断状态。由以上分析可知,单结管的分压比是由其结构决定的常数。分压比公式中的rb1是发射极电流Ie=0时的参数值。某报刊介绍的测量单结管分压比的文章称可测出“单结管在不同Ie下的分压比”。首先,单结管的分压比是一个常数,是由Ie=0时的状态决定的,“不同Ie下的分压比”是一个错误的说法。测定分压比的电路见图2。按下按钮AN,调整电位器RP使微安表刚好指示uA。标定完毕,松开AN。将单结管按正确极性*图2中的a、b、c三点时,微安表指示的数值就是被测单结管分压比的百分数。例如,微安表指示uA,则分压比就是0.。下面对这种测量方法的原理进行分析。测量电路通电工作时,电容C1经电阻R1和二极管D1充电,电容C2经R1充电,两只电容上的充电电压幅度相差0.7V,即D1的正向电压降。当C2上电压达到单结管的峰点电压时,发射极e对b1极开始导通,C2上电压经单结管的rb1放电.rb1进入负阻区,电流迅速增大,当C2上电压放电至单结管的谷点电压时,C2放电停止,单结管恢复到阻断状态,C2开始新一个周期的充电。单结管导通后,图2中C2以m*电流快速放电,而C1放电电流仅有u*,又由于C1容量倍于C2,且c2充电时间长(理论计算的充电时间常数约为us),放电时间短(C2可在几us至十几us内放电至谷点电压),所以电容C1对单结管开始导通瞬间rb1上的压降有记忆锁存作用。这个电压正是我们测量分压比所需要的。因为测量电路的工作电源即Ubb=V,因此通过微安表间接指示的C1上电压值,就能方便地读出单结管的分压比,无须换算。这种方法测得的单结管分压比完全可满足一般电子制作的需要。图2中二极管D1的作用有两个:一是当C2对单结管放电时,保证C1仅向微安表供电,而不效仿C2也与单结管构成通路;二是抵消平衡单结管等效电路中二极管D的正向压降,使C1记忆的电压刚好等于单结管导通瞬间体电阻rb1上的电压。