MOSFET实用检测技巧 (mos管检测电路)

就目前市场上销售的大多数NMOS、PMOS管而言，为了让其像双极型二极管使用一样方便，均在其管芯内集成了较为完善的保护环节。正是由于这些保护环节的介入，使MOS管的结构复杂化了，测试相应也变得困难了。很多朋友拿到一只MOS管后，往住连管脚排列都分不清，性能优劣更是无从判别。因此，笔者介绍在使用、检测MOS元件时的一点经验，以NMOS管为例着重介绍一些关于MOS管的实际测试方法与技巧，供大家参考。

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常见NMOS管内部结卡勾大致有附图所示的三种类型。从图中不难看出，在NMOS管内部的源极S与漏极D之间均设置了一只二极管，厂家称之为“IntemalDiode”。图(a)所示类型的NMOS管目前使用最多，如SMPN、IRF等等。与图(a)稍有不同的是图(b)，图中NMOS管在栅极(G)与源极(S)之间还另外设置有类似双向稳压管的元件“ProtectionDiode”；这种NMOS管有2SK、FS3KMA等类型。图(c)中，NMOS管的栅极(G)在串联电阻的同时，还集成了一只保护用二极管，小功率的NMOS管多采用这种结构，如常见的2SK。据此便能相对容易地识别出NMOS元件的管脚了。对图(a)所示类型，在用型万用表的R×1k挡测量管脚间的电阻时，指针只会出现一次较大幅变的偏转；此时黑笔所接的管脚即为源极、红笔所接为漏极，剩余的第二只脚就是栅极了。万用表内的1．5V电池电压并不足以使图(b)中的“ProtectionDiode”击穿，因而测试结果与图(a)大体上一致。而图(c)所示类型的NMOS管内部集成的两只二极管，将会使万用表指针出现两次较大幅度的偏转。这样，当万用表黑笔与某只管脚相连，红笔分别与其余两只管脚相接时，指针均会出现偏转，与黑笔相连的这只管脚即为源极。接下来还应该对已检测出管脚排列的NMOS管进行性能估测。为方便起见，最好找一只镊子做测量辅助工具。在将型万用表切换到R×k挡后，首先用镊子将(a)、(b)类型的NMOS管栅极与源极短接，以泄放掉NMOS管内部的感应电荷。接着按黑笔接漏极、红笔接源极的方式进行测量(注意：不要用手去碰任何一只管脚，包括在内部与漏极短接在一起的散热片)。此时由于NMOS管尚末导通，其D—S间电阻为∞，因而指针不会发生偏转。但当用手指轻轻捏住栅极并停顿几秒后，万用表指针会偏转到满刻度；如果偏转角度不够明显，则可用手指同时捏住栅极与漏极，甚至直接用镊子将栅极与漏极短接。当手指松开后，(a)类型的NMOS管指针会左右偏摆一些，但一般不会直接回到电阻∞的位置(原位)。而(b)类型的NMOS管由于内部存在“ProtectionDiode”，因而指针会迅速地回到原位。对于(c)类型的NMOS管，用R×1k挡并不能区分出其漏极与栅极，此时需要像判别三极管的集电极与发射极的方法一样，先假设某只管脚为漏极，并与黑笔相接，红笔自然应该接源极。接着用手指捏住假设的栅极，观察指针的偏转。对比前后两次指针偏转的幅度，偏转较大的一次黑笔所接的管脚即为漏极，而用手指捏住的则为栅极。在测量过程中，如果出现了某两只管脚间的电阻值为0，很明显管子存在内部击穿或短路现象。同理，如果任意两只管脚间的电阻均为∞，则说明管子因内部开路而已经损坏。PMOS管的测量原则及方法与NMOS管基本类似，只是在测量时应注意将红黑表笔互换。一般而言，各类MOS管的管脚排列部是有规律的。对于采用TO-、TO-、TO-及TO-等封装形式的MOS管，将字标一面朝向自己，从左至右管脚排列依次为G(栅极)、D(漏极)、S(源极)；而对于像2SK等采用TO-或更小封装的MOS管，其排列则变为了S、D、G。如果管脚排列与此不相符合，则说明该元件可能是结型场效应管(J-FET)。