可控硅元件 (可控硅元件图片)
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图1、可控硅结构示意图和符号图2、型号目前国产可控硅的型号有部颁新、旧标准两种,新型号将逐步取代旧型号。表一KP型可控硅新旧标准主要特性参数对照表参数部颁新标准(JB-)部颁旧标准(JB-)序号KP型右控硅整流元件3CT系列可控硅整流元件1额定通态平均电流(IT(*))额定正向平均值电流(IF)2断态重复峰值电压(UDRM)正向阻断峰值电压(UPF)3反向重复峰值电压(URRM)反向峰值电压(VPR)4断态重复平均电流(IDR(*))正向平均漏电流(I)5反向重复平均电流(IRR(*))反向平均漏电电流(IRL)6通态平均电压(UT(*))最大正向平均电压降(VF)7门极触发电流(IGT)控制极触发电流(Ig)8门极触发电压(UGT)控制极触发电压(Vg)9断态电压临界上升率(du/dt)极限正向电压上升率(dV/dt)维持电流(IH)维持电流(IH)额定结温(TjM)额定工作结温(Tj)KP型可控硅的电流电压级别见表二表二、KP型可控硅电流电压级别额定通态平均电流IT(*)(A)1,5,,,,,,,,,,,,,正反向重复峰值电压UDRM,URRM(×)(V)1~,,,,,,,,,,,通态平均电压UT(*)(V)ABCDEFGHI≤0..4~0..5~0..6~0..7~0..8~0..9~1..0~1..1~1,2示例:(1)KP5-表示通态平均电流5安,正向重复峰值电压伏的普通反向阻断型可控硅元件。(2)KP-D表示通态平均电流安,正、反向重复峰值电压伏,通态平均电压0.7伏的业通反向阻断型可控硅元件。(3)3CT5/表示通态平均电流5安,正、反向重复峰值电压伏的旧型号普通可控硅元件。三、可控硅元件的工作原理及基本特性1、工作原理可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如图2所示图2、可控硅等效图解图当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。由于BG1和BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的。由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化,此条件见表三表三、可控硅导通和关断条件状态条件说明从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位2、控制极有足够的正向电压和电流两者缺一不可维持导通1、阳极电位高于阴极电位2、阳极电流大于维持电流两者缺一不可从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位2、阳极电流小于维持电流任一条件即可2、基本伏安特性可控硅的基本伏安特性见图3图3、可控硅基本伏安特性(1)反向特性当控制极开路,阳极加上反向电压时(见图4),J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,接差J3结也击穿,电流迅速增加,图3的特性开始弯曲,如特性OR段所示,弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时,可控硅会发生永久性反向击穿。(2)正向特性当控制极开路,阳极上加上正向电压时(见图5),J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,图3的特性发生了弯曲,如特性OA段所示,弯曲处的是UBO叫:正向转折电压图4、阳极加反向电压图5、阳极加正向电压由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子时入N1区,空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合,同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合,雪崩击穿,进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉,这样,在N1区就有电子积累,在P2区就有空穴积累,结果使P2区的电位升高,N1区的电位下降,J2结变成正偏,只要电流稍增加,电压便迅速下降,出现所谓负阻特性,见图3的虚线AB段。这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,可控硅便进入正向导电状态---通态,此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似,见图3中的BC段3、触发导通在控制极G上加入正向电压时(见图6)因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用(见图2)的基础上,加上IGT的作用,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。图6、阳极和控制极均加正向电压