晶体管射随电路 (晶体管发射结导通电压)
整理分享晶体管射随电路 (晶体管发射结导通电压),希望有所帮助,仅作参考,欢迎阅读内容。
内容相关其他词:晶体管射极跟随器实验报告,晶体管发射区,晶体管发射极,晶体管射极跟随器实验报告,晶体管射极跟随器实验报告,晶体管发射电路,晶体管射极跟随器实验报告,晶体管射极输出器按反馈属性来分析,它是一个,内容如对您有帮助,希望把内容链接给更多的朋友!
根据图A1的等效电路可知,发射极电流Ie=Ib+Ic又因为Ic=β*Ib(β是晶体管的直流放大系数)所以Ie=Ib+β*Ib=Ib(1+β),又根据电路回路电压定律:Vi=Ib(Rb+Rbe)+Ie*Re=Ib(Rb+Rbe)+Ib(1+β)Re(Rb是晶体管基极电阻,Rbe是基极与发射极之间的电阻,由于Rb和Rbe较少可忽略,那么Vi=Ib(1+β)Re,根据欧姆定律,电路的输入阻抗为Vi/Ib=Ib(1+β)Re/Ib=Re(1+β)。从此式可见电路的输入阻抗是Re的1+β倍,电路的输出阻抗等于Rc与Re的并*阻抗.经上述分析得出结论:晶体管射随电路具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗。