半导体三极管参数符号及其意义

三极管基础知识及检查方法：一、晶体管基础

整理分享半导体三极管参数符号及其意义 ，希望有所帮助，仅作参考，欢迎阅读内容。

内容相关其他词:,内容如对您有帮助，希望把内容链接给更多的朋友！

双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN结。正向偏置的EB结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的CB结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极【电流】IC。在共发射极晶体管电路中,发射结在基极电路中正向偏置,其【电压】降很小。绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于VBE很小，所以基极【电流】约为IB=5V/kΩ=0.1mA。如果晶体管的共发射极【电流】放大系数β=IC/IB=,集电极【电流】IC=β*IB=mA。在Ω的集电极负载电阻上有【电压】降VRC=mA*Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小【电流】ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变【电流】ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的【电流】放大作用。

金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅G【电压】VG增大时，p型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在n+源区S和n+漏区D之间形成导电沟道。当VDS≠0时，源漏电极之间有较大的【电流】IDS流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源【电压】称为阈值【电压】VT。当VGS>VT并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的VDS下也将产生不同的IDS,实现栅源【电压】VGS对源漏【电流】IDS的控制。二、晶体管的命名方法晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如3AX，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。　常用的进口管有韩国的xx、xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。三、常用中小功率三极管参数表型号材料与极性Pcm(W)Icm(mA)BVcbo(V)ft(MHz)3DG6CSI-NPN0.>DG7CSI-NPN0.>>DGCSI-NPN0.>DGSI-NPN0.>>DGSI-NPN0.>DGCSI-NPN0.DGCSI-NPN0.CSI-NPN0.CSI-PNP0.--CSI-NPN0.CSI-NPN0.CSI-PNP0.--CSI-NPN0.CSI-NPN0..1GCSI-NPN.5ACSI-PNP1-1.5A-NSI-NPN0.NSI-PNP0.-NSI-NPN0.四、用万用表ce测试三极管（1）判别基极和管子的类型　　选用欧姆档的R*（或R*1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可ce测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤，又ce测得一组电阻值，这样ce测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应ce测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，重复上述做法，若ce测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。（2）判别集电极　　因为三极管发射极和集电极正确连接时β大（表针摆动幅度大），反接时β就小得多。因此，先假设一个集电极，用欧姆档连接，（对NPN型管，发射极接黑表笔，集电极接红表笔）。ce测量时，用手捏住基极和假设的集电极，两极无法接触，若指针摆动幅度大，而把两极对调后指针摆动小，则说明假设是正确的，从而确定集电极和发射极。（2）【电流】放大系数β的估算　　选用欧姆档的R*（或R*1K）档，对NPN型管，红表笔接发射极，黑表笔接集电极，ce测量时，只要比较用手捏住基极和集电极（两极无法接触），和把手放开两种情况小指针摆动的大小，摆动越大，β值越高。